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Direct Liquid Injection Deposition Systems
The most efficient technology for deposition of new materials
直接液体注入式沉积设备
*具效率的新材料沉积技术
Semiconductor, micro batteries, BAW and SAW filters,
TMDs, energy harvesting, …
半导体、微电池、BAW和SAW过滤器，TMDs，能量收集
Chemical Vapor Deposition & Atomic Layer Deposition in the same system
在同一设备中实现化学气相沉积&原子层沉积
- Simple and multi-metallic oxides
- 单金属氧化物、多金属氧化物
- 2D materials: graphene, h-BN, TMD
- 2D材料：石墨烯, h-BN, TMD
- Metals nitrides and other materials
- 金属氮化物和其它材料
- Capability to evaporate low vapor pressure precursors
- 可蒸发低气压前驱源
- Perfect stoichiometry control of multi-metallic oxides
- 多金属氧化物化学计量完美控制
- Multi-process capabilities: CVD, ALD, RTP, RTCVD
- 多重工艺能力：CVD, ALD, RTP, RTCVD
- Cluster like system in a single reactor with MC-050
- 单反应腔配备MC-050的类枚页式设备
- 沉积材料举例：BaO, Y2O3, Cr2O3, TiO2, Al2O3, HfO2, Li2O, Bi2O3, Co3O4, CuCrO2, SiO2, LixNbyOz, LaxNiyOz, MovCrwFexBiyOz, TiN, AlN, Pt, MoS2 …
MC-050规格：
• MC-050设备是一台2英寸可满足研发需求的DLI-CVD/DLI-ALD反应器。
•红外灯管以及直接液体注入雾化器，使设备具有独特的多工艺能力：CVD, ALD, MOCVD, RTP 和RTCVD
•直接液体注入雾化器（DLI）完美，控制前驱源流量并可兼容低气压和
稀释化的前驱源。
•前驱源气流的快速开关和旁路阀可以很好的控制纳米层压材料的沉积。
• MC-050是一台非常适合于新材料和纳米层压材料研发的设备，广泛采用了液体和固体金属有机前驱源。
应用：
•单一和多金属氧化物
•金属，氮化物和合金
• III-V族化合物半导体
•宽禁带半导体
• 2D和3D材料等
|
工艺
|
DLI-CVD&DLI-ALD
DLI-CVD,DLI-ALD,MOCVD,RTP,RTCVD |
| 指标特点 |
MC-050 |
MC-100 |
MC-200 |
| *大衬底直径 |
2” |
4” |
8” |
| 温度范围 |
*高可达1100°C |
旋转加热基片托，温度可达 800°C |
旋转加热基片托，温度可达 800°C |
| 腔室 |
不锈钢热控腔室 |
不锈钢热控腔室 |
不锈钢热控腔室 |
| 基片托 |
-- |
垂直运动的基片托 |
垂直运动的基片托 |
| 温度控制 |
快速数字PID |
快速数字PID |
快速数字PID |
| *多工艺气体管路（MFC） |
8 |
8 |
8 |
| *多直接液体喷射雾化器数量 |
6 |
4 |
4 |
| 应用 |
氧化物,金属,氮化物和合金,III-V,宽带隙半导体,2D和3D材料…… |
氧化物,金属,氮化物和合金,过渡金属氮化物, ,III-V,宽带隙半导体,纳米管和纳米线…… |
氧化物,金属,氮化物和合金,过渡金属氮化物, ,III-V,宽带隙半导体,纳米管和纳米线…… |
| 选项 |
手套箱接口和手套箱, 远程等离子体, 臭氧发生器, 鼓泡器，高温计温度控制，低真空泵，高真空泵 |
低真空泵，分子泵，机械化真空装填装载，ALD阀 |
电容等离子体，低真空泵，分子泵，机械化真空装填装载，ALD阀 |
| 可沉积材料 |
氧化物: Al2O3, BaO, Bi2O3, Co3O4, Cr2O3, CuCrO2, HfO2,
Li2O, SiO2, TiO2, Y2O3, MovCrwFexBiyOz, …
氮化物: TiN, AlN
金属: Pt…… |
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