ABB绝缘栅双极晶体管(IGBT)及二极管芯片

ABB绝缘栅双极晶体管(IGBT)及二极管芯片
和 GTO及IGCT相比，IGBT 传导损失相对较高，关断损失则较低。 因此，优化的IGBT开关频率与相同额定的GTO和IGCT相比而言是很高的。
无保护网（“缓冲器”）也可使用IGBT, 因而可以使极为简单的系统拓扑学化。这种简化会导致这样一个结果：大部分的系统损失会在硅中消散因此通过热约束减少*大开关功率。
所有IGBT独有的特性是它有能承受短路（高电流和高电压在装置中同时交叉)的能力。短路时，能通过IGBT到达装置设计的水平的电流时有限的。仅有门控制又不对装置造成永久性损伤在10微秒内安全的关闭短路是不可能的。
IGBT 由1 cm2的半导体芯片构成。与之相匹配的二极管一同，IGCT 被做成不同的模块，电和机械的装置以及各种电额定。
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ABB绝缘栅双极晶体管(IGBT)及二极管芯片
1.2 kV
5SLY 76/ 86E1200
5SLY 76/ 86F1200
5SLY 76/ 86G1200
5SLY 76/ 86J1200
1.7 kV
5SLY 86E1700
5SLY 86F1700
5SLY 86G1700
5SLY 86/12J1700
5SLY 86/12M1700
IGBTs
1.2 kV
5SMX 76/ 86E1280
5SMX 76/ 86H1280
5SMX 76/ 86K1280
5SMX 76/ 86L1280
5SMY 76/ 86H1280
5SMY 76/ 86J1280
5SMY 76/ 86K1280
5SMY 76/ 86M1280
1.7 kV
5SMY 86G1721
5SMY 86/ 12J1721
5SMY 86/ 12K1721
5SMY 86/ 12M1721
2.5 kV
5SMY 12M6501
5SND 0800M170100
5SNE 0800M170100
5SNA 1600N170100
5SNA 1800E170100
5SNA 2400E170100
5SNA 2400E170305
5SNA 2000J170300
5SLA 2000J170300
5SNA 3600E170300
5SLA 3600E170300
2.5 kV
5SNA 1500E250300
3.3 kV
5SNG 0250P330305
5SLG 0500P330300
5SND 0500N330300
5SNA 0800N330100
5SNE 0800E330100
5SNA 1000N330300
5SLD 1000N330300
5SLD 1200J330100
5SNA 1200E330100
5SNA 1200G330100
5SNA 1500E330305
4.5 kV
5SNG 0150P450300
5SLG 0600P450300
5SLD 0650J450300
5SNA 0650J450300
5SNA 0800J450300
5SLD 1200J450350
5SNA 1200G450300
5SNA 1200G450350
6.5 kV
5SNA 0400J650100
5SNA 0500J650300
5SLD 0600J650100
5SNA 0600G650100
5SNA 0750G650300
5SYA2039
5SYA2098
5SYA2093
5SYA2042
5SYA2043
5SYA2045
5SYA2053
5SYA2058
5SZK9120
5SZK9111
5SZK9112
5SZK9113
2.5 kV
5SNR 10H2501
5SNR 13H2501
5SNR 20H2501
4.5 kV
5SNA 1300K450300
5SNA 2000K450300
5SNA 2000K451300
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