• 大功率激光光束质量分析仪

    详细信息

     品牌:Duma  型号:LAM Beam Analyzer,  加工定制:否  
     测量范围:1  测量精度:1 ° 外形尺寸:1 mm 
     用途:1  长度:1 mm 工作温度:1 ℃ 
     重量:1 ㎏ 装箱数:1  外型尺寸:40 mm dia. × 31 mm length  
     通光孔径: 8 × 8 mm  光谱范围:250-2000nm  刀口数:7  
     工作距离:49mm    
       
    我司为用户提供两种系列光束质量分析仪,LAM和M2-Beam,其中LAM可用于检测工作面上的聚焦激光,其检测原理为刀口式测量原理,仅可检测连续激光(CW),M2-Beam的普通型号同样采取刀口式测量原理。当然,为了满足用户对于脉冲激光(Pulsed)的检测需求,我们也提供CMOS传感器版本(-U3型号)。
    以上机型均可安装风冷采样器,SAM-HP-M。需要注意的是,在测量大功率激光时,连续曝光时间不能超过5s。并且高功率机型出厂后,风冷采样器处于已装配状态,原则上讲我们不提倡用户将其拆卸,因为其中涉及到接收对准和安装工艺问题,这会导致拆卸后无法安装的问题存在,基于更小的灵敏度,仪器哪怕装载了风冷采样器,对于小功率激光仍具备一定的探测能力。
     
    大功率光束分析仪的核心部件——风冷采样器规格参数:
    型号 SAM3-HP
    光谱范围 250-2000nm
    采样系数 1.1×10-5
    外型尺寸 40 mm dia. × 31 mm length
    通光孔径 8 × 8 mm
    从输入到采样表面的*小光路 25mm(视具体型号而定)
     
    LAM大功率激光光束质量分析仪产品规格参数:
      LAM-BA LAM-U3
    传感器类型 硅基,使用刀口法测量技术 CMOS
    刀口数 7 -
    光谱范围: 硅:350-1100nm 350-1310nm
    功率范围@900/1070 nm *高4KW(需要衰减片和高压空气风冷,可能会有一些限制) 连续激光1-2500W,脉冲激光1-1000W
    光斑尺寸范围 35微米至8毫米 75微米-6毫米
    分辨率(H × V像素) 根据光束大小自适应 1920 ×1200
    传感器有效尺寸 9 × 9 11.34 × 7.13
    工作距离 49mm 从输入表面到传感器的光学距离为40.7±0.2毫米
    *高BPP *大输入角度-25deg *大输入角度-25deg
    *大功率密度 1,000,000 W/cm2 1,000,000 W/cm2
    光束宽度精度 ± 1.5 ± 1.5
    功率精度 ± 5 ± 5
    工作温度 0℃-35 0℃-35
     
    M2-Beam 大功率光束分析仪产品规格:
    -输入光束
      M2Beam M2Beam U3
    技术工艺 刀口式扫描原理,应用Si探测器,InGaAs探测器和增强型InGaAs探测器 USB 3.0接口
    CMOS 2.4MP
    内置过滤论
    光谱响应(nm SI传感器:350-1100
    InGaAs传感器:800-1800
    Enhanced InGaAs 传感器:800-2700
    VIS-NIR:350-1600
    UV-NIR:220-1350
    激光功率范围 Si:100 μW-1 W(带衰减片)
    InGaAs&UV:100 μW-5 mW
    HP:4 kW以下
    10μW-100mW,内置滤光轮
    HP:4 kW以下
    刀口数 7
    光束尺寸 带透镜高达25mm直径(Si&UV版本)
    束腰到透镜距离 2.0~2.5米*佳
    *小2
     
     
    -扫描装配附件
    材质
    透镜焦距 300mm(在632.6nm时)
    透镜直径 25mm
    扫描次数 140
    *小步进尺寸 100μm
    扫描长度 280mm
     
    -整机
    重量 2.5kg
    尺寸 100×173×415 mm
    托架 M6或1/4“固定
    机械调整 水平角:±1.5°
    垂直角:±1.5°
    电缆长度 2.5m
     
    高功率光束分析仪订购型号及描述:
    LAM-BA: 7-blades, Si detector with high power attenuator and mounting adapter
    LAM-U3: A camera for 350 –1310 nm with motorized built-in filter wheel with high power attenuator and mounting adaptor, a set of interchangeable filters,
    M2Beam-Si – measurement device for silicon range (350 – 1100nm)
    M2Beam-UV – measurement device for silicon range (190 – 1100nm)
    M2Beam-IR – measurement device for silicon range (800 – 1800nm)
    M2Beam-U3-VIS-NIR - measurement device for 350-1600 nm CMOS based
    M2Beam-UV-NIR – Special – consult factory.
    SAM3-HP-M – beam sampler for high power beams

     
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