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    一、设备介绍
    不锈钢水冷壁腔室壁真空快速退火炉(快速热处理炉)

    具有4英寸(100 mm) 和 6英寸 (150 mm) 两种版本

     

    二、性能和特征

    • 可处理4-inch 及以下和 6-inch 及以下的晶圆
    • 可适用大范围类型的基片:硅和化合物半导体晶圆,GaN /蓝宝石和碳化硅晶圆,多晶硅晶圆,玻璃,金属,高分子聚合物,石墨和碳化硅托盘等等。
    • 设备应用具有:硒化、硫化、接触退火,注入退火,RTO (快速热氧化) ,RTN (快速热氮化) ,硅平滑,扩散,致密化和结晶化,石墨烯CVD,碳纳米管等。
    • 不锈钢水冷腔壁技术高工艺复现性超洁净及无污染环境
    • 高冷却速率,低记忆效应
    • 具有真空能力,可选配分子泵
    • 温度控制:高温计和热电偶控制+快速数字PID温度控制器
    • 边缘高温计视口,确保用于化合物半导体和小型样品
    • 基片托的温度控制

     

    三、快速退火炉的具体参数

    • 温度范围: 室温至1250°C(AS-One100)、室温至1450°C(AS-One100HT)、室温至1200°C(AS-One150)、室温至1300°C(AS-One150HT)、
    • 升温速率:可达200°C/s(AS-One100),可达150°C/s(AS-One150)
    • 特殊配置下冷却速率达 100°C/s(选配快速冷却装置)
    • 可配5条带质量流量控制器(MFC)的工艺气路
    • 标配一条吹扫气路
    • 具有真空能力,配备干泵,可选配分子泵 
    指标特点 AS-One 100 AS-One 150
    腔室材质 不锈钢水冷壁腔室 不锈钢水冷壁腔室
    衬底直径Max 100mm4” 150mm6”
    温度范围(标准)
    温度范围(高温版本)
    RT to 1250°C
    RT to 1450°C
    RT to 1200°C
    RT to 1300°C
    温度重复性 ± 1°C ± 1°C
    升温速率 0.1°C to 200°C/s 0.1°C to 150°C/s
    灯数量/Max功率 12 / 30 kW 18 / 34 kW
    温度控制 快速数字PID 快速数字PID
    工艺气体管路 5 5
    真空范围Roughing
    真空范围Turbo
    10-3 Torr
    10-6 Torr
    10-3 Torr
    10-6 Torr
    应用 注入退火、欧姆接触退火(III-V and SiC)Si碳化、RTORTN、致密和结晶、硒化、石墨烯CVD……
    装片方式 手动 手动
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