BEHLKE 差动开关模式脉冲发生器 用于放电的快速晶闸管开关

BEHLKE 差动开关模式脉冲发生器 用于放电的快速晶闸管开关


Behlke A组产品 - 用于放电的快速晶闸管开关

1）HTS 120-100-SCR， 快速晶闸管高压开关，di / dt> 2kA /μs。采用具有选件
FC（扁平外壳）的高性价比塑料外壳。12 kVDC，1kA pk，tr <100 ... 500 ns。尺
寸79x38x17毫米。

2）HTS 80-500-SCR，快速晶闸管高压开关，di / dt> 10kA /μs。采用具有标准高
电流端子的高性价比塑料外壳。8 kVDC，5 kA pk，tr <100 ... 500 ns。89x64x32
毫米。

3）    HTS 80-500-SCR，快速晶闸管高压开关，di / dt> 10kA /μs。带可选冷却
法兰，无电位（选件GCF）。8 kVDC，5 kA pk，tr <100 ... 500 ns。尺寸
132x100x40 mm。

4）HTS 120-500-SCR，快速晶闸管高压开关，di / dt> 10kA /μs。显示在具有成
本效益的塑料外壳中。标准大电流端子。12 kVDC，5kA pk，tr <100 ... 500 ns。
122x64x31毫米。

5）HTS 120-500-SCR，快速晶闸管高压开关，di / dt> 10kA /μs。带可选铜散热
片（选件CF）。标准大电流端子。12 kVDC，5kA pk，tr <100 ... 500 ns。
122x64x66毫米。

6）    HTS 240-1200-SCR，快速晶闸管高压开关，di / dt> 24kA /μs。带可选陶
瓷冷却表面（选件CCS）。24 kVDC，12 kA pk，tr <100 ... 500 ns 

7）HTS 240-1200-SCR，快速晶闸管高压开关，di / dt> 24kA /μs。带可选的Cu散
热片（双翅片，选件CF-D）。24 kVDC，12 kA pk，tr <100 ... 500 ns 

8）HTS 240-800-SCR，快速晶闸管高压开关，di / dt> 16kA /μs。带有可选的Cu
散热片（选件CF-1）。24.000 VDC，8 kA pk，tr <100 ... 500 ns 

9）HTS 240-300-SCR，快速晶闸管高压开关，di / dt> 6kA /μs。带有可选的Cu散
热片，扩大（选件CF-X3）和塑料法兰外壳（选件FH）。24 kVDC，3 kA pk，tr
<100 ... 500 ns 

10）HTS 440-1200-SCR，快速晶闸管高压开关，di / dt> 24kA /μs。带有可选的
Cu散热片（选件CF）和塑料法兰外壳（选件FH）。44 kVDC，12 kA pk，tr <100
... 500 ns 

11） HTS 500-1200-SCR，快速晶闸管高压开关，di / dt> 24kA /μs。可选水冷（
选件ILC）。50 kVDC，12 kA pk，tr <100 ... 500 ns 
12）HTS 1500-1000-SCR， 快速晶闸管高压开关，di / dt> 20kA /μs。可选液体
冷却，用于非导电冷却剂（选件DLC）。150 kVDC，10 kA pk，tr <150 ... 500 ns
。

13）HTS 1200-2400-SCR， 快速晶闸管高压开关，di / dt> 40kA /μs。可选液体
冷却。非对称隔离（加上极点200 kV /负极30 kV）。120 kVDC，24 kA pk，tr
<200 ... 600 ns。


Behlke 产品组B1 - 具有固定导通时间的MOSFET开关，用于一般用途

1）HTS 40-06，标准塑料外壳中的极快MOSFET开关。固定导通时间，ton = 100ns（
50 ns - 100μs可选）4 kV，60 A pk，上升时间<3 ns。

2）HTS 150，MOSFET开关。固定导通时间，ton = 150ns（100 ns - 100μs可选）
。采用高频尾纤（PT-HV）和高隔离电压（ISO-40）。15 kV，30 A，tr <10ns。

3）HTS 300，MOSFET开关。固定导通时间，ton = 200ns（100 ns - 100μs可选）
。标准塑料外壳。30 kV，30 A，上升时间<10ns。



Behlke 产品组B2 - MOSFET，固定导通时间，高di / dt和低阻抗
1）HTS 60-16，快速放电开关，具有低杂散电感。固定准时，吨= 150ns。6 kV，
160 A，tr <4ns @Ip（*大值）。PCB的插针插座包含在供货范围内。

2）HTS 80-16，快速放电开关，具有低杂散电感。固定准时，吨= 150ns。8 kV，
160 A，tr <5ns @Ip（*大值）。PCB的插针插座包含在供货范围内。

3）HTS 80-26，快速放电开关，具有低杂散电感。固定导通时间，吨= 180ns。8 kV
，260 A，tr <5ns @Ip（*大值）。PCB的插针插座包含在供货范围内。  
  


Behlke 产品组B3 - MOSFET，固定导通时间，高di / dt和超快速

1）HTS 50-12-UF，低电感的超快放电开关。固定导通时间，ton = 200ns（可选
10ns-1μs）。5kV，120A，tr <2ns @Ip（*大值）。PCB的插针插座包含在供货范
围内。

2）HTS 80-12-UF，低电感超快放电开关。固定导通时间，ton = 200ns（可选
10ns-1μs）。8kV，120A，tr <3ns @Ip（*大值）。PCB的插针插座包含在供货范
围内。

3）HTS 80-20-UF，低电感超快放电开关。固定导通时间，ton = 200ns（可选
20ns-1μs）。8kV，200A，tr <4ns @Ip（*大值）。PCB的插针插座包含在供货范
围内。



Behlke 产品组B4-沟槽FET，固定导通时间，高电流，低导通电阻
1）HTS 60-65-B，*新的Trench FET技术，具有极低的导通电阻和高电流。固定准
时，吨= 150ns。6.5 kV，650 A pk。上升时间<10 ns @Ip（*大值）

2）HTS 170-160-B，*新的Trench FET技术，具有极低的导通电阻和高电流。固定
导通时间，吨= 200ns。17 kV，1600 A pk。上升时间<15 ns @Ip（*大值）。独立
控制单元。

3） HTS 330-160-B，*新的Trench FET技术，具有极低的导通电阻和高电流。固定
准时，吨= 250ns。33 kV，1600 A pk。上升时间<18 ns @Ip（*大值）。独立控制
单元。  
  


Behlke 产品组C1 - MOSFET开关，可变导通时间，用于一般用途 

1）HTS 181-01-C，MOSFET开关，紧凑型系列。可变导通时间从50 ns到无限。18 kV
，12 A，上升时间<15 ns。尺寸79 x 38 x 25 mm。选择。推荐使用PT-HV（HV尾纤
）。

2）HTS 151-0 2，MOSFET开关，带选件FC（扁平外壳），带标准连接器。可变导通
时间从50 ns到无限。15 kVDC，25 A pk，上升时间<8 ns.On-resistance <30 Ohm
。

3） HTS 331-06，通用MOSFET开关，带选件CF（散热片），C-DR（驱动器冷却）和
HFS（高频开关）。33 kVDC，60 A.导通电阻<33欧姆。  



Behlke 产品组C2 - 具有可变导通时间和高di / dt的MOSFET开关
1）HTS 61-40，具有高di / dt的MOSFET开关。可变导通时间从300 ns到无限。6
kVDC，400 A pk。上升时间<10 ns @Ip（*大值）

2）HTS 101-20，MOSFET开关具有高di / dt。可变导通时间从300 ns到无限。10
kVDC，200 A pk。上升时间<12 ns @Ip（*大值）

3）HTS 311-130-B，沟道FET技术中具有高di / dt的MOSFET开关。可变导通时间300
ns - ∞。31 kVDC，1300 A pk。上升时间<20 ns @Ip（*大值）。独立控制单元。
 

Behlke 产品组C3 - MOSFET，可变导通时间，低耦合电容

1）HTS 901-10-LC2，低电容MOSFET开关，采用高压瞬态LC2技术。该开关旨在满足
非常苛刻的工业要求。隔离电压> 150 kV      （可选高达300 kV）。内置控制单
元（可更换）。90 kVDC，100 A.导通电阻<40欧姆。开启上升时间<50 ns。  

2）HTS 901-10-LC2，如上所述，但带有选件SEP-C（独立控制单元）和选件DLC（直
接液体冷却）。  

3）HTS 1001-20-LC2，高功率MOSFET开关，带选件TH（管状外壳）和选件DLC（直接
液体冷却）。100 kVDC，200 A pk。，上升时间<50 ns，*大值 功耗30千瓦     




Behlke 产品组C4 - 沟槽FET，可变导通时间，高电流，低电阻

1）HTS 71-13-BC，紧凑型系列。*新的TRENCH FET技术，具有低导通电阻。7.8
kVDC，130 A pk，<1 Ohm，tr <10 ns。尺寸79 x 38 x 17 mm 

2）HTS 61-23-B，*新的沟槽FET，具有低导通电阻和高峰值电流。带可选铜散热片
（选件CF）。6.5 kVDC，230 A pk，Ron <0.4 Ohm，tr <15ns  

3）HTS 231-52-B，*新的Trench FET技术，具有低导通电阻和高峰值电流。23 kV
，520 A，<0.7 Ohm，tr <20 ns。使用选件CF-X2（散热片X2）和C-DR（驱动器散热
）   
  



Behlke 产品组C5 - MOSFET，可变导通时间，双极性，用于交流和直流电压

1 ）HTS 61-01-AC-C，用于交流，直流和双极直流电压的MOSFET开关。紧凑型系列
。尺寸79 x 38 x 17毫米。6 kVAC（pk）/ 15 A（pk）。  

2）HTS 131-26-AC-B，用于交流，直流和双极直流电压的沟槽FET开关。带可选铜散
热片（选件CF）和屏蔽输入（选件LS-C）。13 kVAC（pk）/ 260 A（pk）。  

3）HTS 231-26-AC-B，沟槽FET开关，用于交流，直流和双极直流电压。带可选铜散
热片（选件CF）和屏蔽输入（选件LS-C）。23 kVAC（pk）/ 260 A（pk）。

4）  各种MOSFET交流开关，30至70 kV / 100 A，带管状外壳（选件TH）和直接液
冷（选件DLC）。    




Behlke 产品组C6 - 具有可变导通时间，高电流的IGBT开关

1）HTS 61-160-FI，快速IGBT开关。可变导通时间200ns至无限。带有用于控制连接
的尾纤（选件PT-C）。6 kV，1600 A.导通上升时间<90 ns @Ip（*大值）。关断上
升时间<0.8μs。 

2）HTS 101-120-SI，标准IGBT开关。可变导通时间1μs至无限。10 kV，1200 A pk
。开启上升时间<150 ns @ Ip（*大值）。关断上升时间<5μs 。

3）HTS 241-240-SI，标准IGBT开关。可变导通时间200 ns至无限。带有可选的散热
片（选件CF）和法兰外壳（选件FH）。24 kV，2400 A pk。上升时间<150 ns @ Ip
（*大值）。 
  



Behlke 产品组C7-MCT开关具有可变导通时间，高电流

1）HTS 61-300-MCT，可变导通时间的晶闸管开关。6 kVDC，导通电流3 kA，关断电
流100 A.导通上升时间200 ns，关断上升时间1.5μs。

2）HTS 101-300-MCT，可变导通时间的晶闸管开关。10 kVDC，导通电流3 kA，关断
电流100 A.导通上升时间200 ns，关断上升时间1.5μs。

3）HTS 181-300-MCT，可变导通时间的晶闸管开关。18 kVDC，导通电流3 kA，关断
电流100 A.导通上升时间200 ns，关断上升时间1.5μs。  
 



Behlke 产品组C8 - 推挽式配置的MOSFET开关（半桥）

1）HTS 61-01-HB-C，MOSFET推挽式开关。紧凑型系列。尺寸79 x 38 x 17毫米。可
变HV脉冲宽度从50 ns到无穷大。2 x 6 kV，15 A.上升和下降时间<8ns。  

2）  HTS 81-06-GSM，MOSFET推挽式开关采用经济高效的塑料外壳。底部的HV接头
。可变HV脉冲宽度从150 ns到无穷大。2 x 8 kV，60 A.上升和下降时间<7ns。

3）HTS 201-03-GSM，MOSFET推挽式开关，带有可选的散热片（CF）和阻燃外壳，符
合UL94-V0（选件UL94）。 2 x 20 kV，30 A pk，上升和下降时间<10 ns 

4）HTS 301-03-GSM ，MOSFET推挽式开关，带选件FH（法兰外壳），DLC（直接液冷
），C-DR（驱动器冷却）和HFS（高频开关）。2 x 30 kV，30 A 
     上升和下降时间<20 ns，重复率> 100 kHz。采用DLC冷却，*大功耗可达6 kW
。尺寸330x120x75 mm。

5）HTS 1501-10-GSM， MOSFET推挽式开关，带选件FH（法兰外壳）和DLC（直接液
冷）。2 x 150 kV，100 A.上升和下降时间<90 ns。

6）HTS 61-03-HB-C， MOSFET推挽式开关。紧凑型系列，带选件GCF（接地冷却法兰
）。可变脉冲宽度从75 ns到无穷大。2 x 6 kV，30 A.上升和下降时间<6 ns。  



Behlke 产品组D - HV脉冲发生器和普克尔盒驱动器

1）  GHTS 60/100，用于容性负载的实验室方波脉冲发生器。通过CE认证。高达10
kV。上升和下降时间10 ns，f（max）= 30 kHz。手动极性反转。高压脉冲监视器输
出。  

2）  FBP 201-01，快速高压双极和AC脉冲发生器。脉冲发生器接受正负电源电压而
无极性反转。适用于TOF应用。20 kVAC / 15 A，可根据要求提供其他电压和电流。
可选液体冷却（ILC或DLC），用于高频操作。通过CE认证。高压脉冲监视器输出。  
     
3）  FSWP 61-02，MOSFET推挽式脉冲发生器，采用DLC液冷，适用于高频运行。带
脉冲监控输出。6 kVDC，20A，tr / tf <8ns，fmax = 3MHz  

4）  HTS XXX-XXX带选件PC。每个BEHLKE HTS开关都可以根据客户要求配置为脉冲
发生器。有关详细信息，请咨询BEHLKE。

5）  FQD 50-02-C，MOSFET pockels电池驱动器，紧凑型系列。LxWxB = 64x30x18
mm（2.5x1.18x 0.7inch）。开模式配置，5 kV，20 A pk，上升时间<5 ns 

6）  FQD 40-06，MOSFET pockels单元驱动器，带可选冷却法兰（GCF），重复频率
高达150 kHz。开模式，4 kV，60 A pk，上升时间<5ns  



Behlke 产品组E-快速回收高压二极管，系列FDA

1）FDA 160-150。快速恢复二极管16 kV / 1500 A.反向恢复<85 ns @ 150A。标准
房屋。图为上下两侧。  

2）FDA 160-150。快速恢复二极管16 kV / 1500 A.反向恢复<85 ns @ 150A。上：
带散热片（CF）。底部：采用Cu冷却法兰（GCF）。

3）FDA 160-300。快速恢复二极管16 kV / 3000 A.反向恢复<85 ns @ 300A。外壳
带有可选的铜散热片（选件CF）。

4）FDA 350-150。快速恢复二极管35 kV / 1500 A.反向恢复<85 ns @ 150A。标准
房屋带有定制的高压连接器。 

5）FDA 320-150。快速恢复二极管32 kV / 1500 A. 反向恢复<85 ns @ 150A。可选
配散热片（CF），*大 400W功耗。

6）FDA 160-800。快速恢复二极管16 kV / 8000 A. 反向恢复<85 ns @ 800A。法兰
外壳（FH）带散热片（CF）和尾纤（PT-HV）。



Behlke 定制HV开关和HV脉冲发生器的示例

1）     定制的高压脉冲发生器单元，具有远程控制的极性变化。工业TOF应用。
+/- 10 kV，30 A（pk），上升和下降时间<10 ns 

2）     定制的带水冷的晶闸管开关。具有55 kVDC隔离要求的医疗应用。24 kVDC
，12 kA pk，电流上升时间<500 ns。  

3）     定制的晶闸管开关用于土钻孔中的地震勘探。130 x 20 x 20毫米。6 kVDC
，1kA pk，电流上升时间<500 ns。 
 
4/5）定制交流开关，适用于高频大功率应用。专为直接液体冷却（DLC）而设计。
塑料外壳（PEEK），压力和辐射率，根据客户要求。图。5：AC开关，由35x4 FET制
成，每个800V / 60A = 28kVAC / 120A，Ron <2.5欧姆，上升时间<15ns.Fig。5：
AC开关，由35x4 FET制成，每个800V / 60A = 28 kVAC / 120A，Ron <2.5 Ohm，上
升时间<15 ns。

6）    定制MOSFET推挽式开关，采用自来水冷却，设计紧凑。5 kVDC，25 A pk，
fmax 300 kHz，上升和下降时间<8ns 

7）     定制的pockels电池驱动器。全桥配置的2个推挽式开关，可产生7ns至无限
的HV脉冲宽度。8kV，30 A pk，> 500 kHz   

8）    用于工业激光器的定制pockels单元驱动器。铜制冷却法兰，带自来水冷却
。UL94-V0推挽式开关，5 kV，上升和下降时间<10ns，fmax = 300kHz。

9）     定制的晶闸管开关在一个特殊的外壳中，可直接替换现有系统中的火花隙
。用水冷却。24 kV，8 kA（pk）。


BEHLKE 差动开关模式脉冲发生器 用于放电的快速晶闸管开关