■ 砷化铟探测器（InAs）
———近红外探测器 波长范围：1-3.8μm
DInAs3800和DInAs3800-TE两种型号，其中：◆ DInAs3800内装进口常温型探测元件；◆ DInAs3800-TE内装进口TE制冷型探测元件。
主要技术指标
型号/参数 |
DInAs3800 |
DInAs3800-TE |
|
光敏面直径(mm) |
2 |
2 |
|
波长范围(μm) |
1-3.8 |
1-3.8 |
|
峰值响应度(A/W) |
0.8 |
1.5 |
|
D*(@λpeak, 1KHz)cm Hz1/2W-1 |
2.5×109 |
9.1×1012 |
|
NEP(@λpeak,1KHz)pW/Hz1/2 |
71 |
4.4 |
|
温控器型号 |
- |
ZTC-2 |
|
探测器温度(℃) |
室温 |
-40 |
|
温度稳定度(℃) |
- |
±0.5 |
|
信号输出模式 |
电流 |
电流 |
|
输出信号极性 |
正（P） |
正（P） |
|
制冷模式时须使用温控器（型号：ZTC） |
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推荐使用前置放大器型号：ZAMP |
|
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砷化铟探测器使用建议：
● DInAs3800和DInAs3800-TE均为电流输出模式的光电探测器，在接入示波器、锁相放大器等要求电压输入的信号处理器前，建议采用I-V跨导放大器ZAMP（Page85做为前级放大并转换为电压信号，标明可输入电流信号的信号处理器可直接接入信号，但仍建议增加前置放大器以提高探测灵敏度；
● DInAs3800和DInAs3800-TE配合DCS103数据采集系统（Page95）使用时，建议采用I-V跨导放大器以提高探测灵敏度；
● DInAs3800和DInAs3800-TE配合DCS300PA数据采集系统（Page95）使用时，由于DCS300PA双通道已集成信号放大器，故可不再需要另行选配前置放大器；
● 制冷型DInAs3800-TE砷化铟探测器，在制冷模式时须使用温控器（型号：ZTC）进行降温控制。
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