铟镓砷探测器

铟镓砷探测器DInGaAs系列

■ 常温型铟镓砷探测器（InGaAs）
———常温型近红外探测器，波长范围：0.8-1.7μm
三种常温型铟镓砷探测器DInGaAs1600/ DInGaAs1650/ DInGaAs1700具有相同的外观设计，其中：
◆ DInGaAs1600型内装国产小面积InGaAs探测元件（光谱响应度曲线参考图1）
◆ DInGaAs1650型内装国产大面积InGaAs探测元件（光谱响应度曲线参考图2）
◆ DInGaAs1700型内装进口大面积InGaAs探测元件（光谱响应度曲线参考图3）

型号列表及主要技术指标：

参数	测试条件	DInGaAs1600			测试条件	DInGaAs1650			测试条件	DInGaAs1700
		*小值	典型值	*大值		*小值	典型值	*大值		*小值	典型值	*大值
光敏面直径(mm)		1.5				5				5
光谱响应		900-1600				800-1650				800-1700
范围(nm)
响应度Re(A/W)									@850nm	0.1	0.2
	VR=0V @1300nm	0.8	0.85	-	VR=10mV @1310nm	-	0.75	-	@1300nm	0.8	0.9
	VR=0V	0.85	0.9	-	VR=10mV @1550nm	-	0.8	-	峰值@1550nm		0.95
	@1550nm
暗电流Io(nA)	VR=0V		0.1	1			10		VR=0V		5	10
NEP (pW Hz-1/2)									@1550nm	0.28
信号输出 模式		电流				电流				电流
输出信号 极性		正（P）				正（P）				正（P）

■ TE制冷型铟镓砷探测器（InGaAs）
——TE制冷型近红外探测器，波长范围：0.8-2.6μm
       TE制冷型铟镓砷探测器DInGaAs(x)-TE具有相同的外观设计，其中x-1700/ 1900/ 2200/ 2400/ 2600，均采用进口二级TE制冷铟镓砷探测元件，光谱响应曲线参考图如下：

型号列表及主要技术指标：

型号/参数	DInGaAs1700-TE	DInGaAs1900-TE	DInGaAs2200-TE	DInGaAs2400-TE	DInGaAs2600-TE
光敏面直径(mm)	3	3	3	3	3
波长范围(nm)	800-1700	800-1900	800-2200	800-2400	800-2600
峰值响应度(A/W)	0.9	1	1.1	1.15	1.2
D*(典型值)	8.4×1013	9.1×1012	1.9×1012	9.6×1011	4.9×1011
NEP(典型值)	3.2×10-15	2.9×10-14	1.4×10-13	2.8×10-13	5.5×10-13
温控器型号	ZTC	ZTC	ZTC	ZTC	ZTC
探测器温度(℃)	-40	-40	-40	-40	-40
温度稳定度(℃)	±0.5	±0.5	±0.5	±0.5	±0.5
环境温度(℃)	+10~+40	+10~+40	+10~+40	+10~+40	+10~+40
信号输出模式	电流	电流	电流	电流	电流
输出信号极性	正（P）	正（P）	正（P）	正（P）	正（P）
备注	制冷模式时须使用温控器（型号：ZTC） 推荐使用前置放大器型号：ZPA-7

铟镓砷探测器使用建议：
● DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列铟镓砷探测器均为电流输出模式的光电探测器，在接入示波器、锁相放大器等要求电压输入的信号处理器前，建议采用I-V跨导放大器ZPA-7（Page85)做为前级放大并转换为电压信号；标明可输入电流信号的信号处理器可直接接入信号，但仍建议增加前置放大器以提高探测灵敏度；
● DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列铟镓砷探测器配合DCS103数据采集系统（Page95）使用时，建议采用I-V跨导放大器以提高探测灵敏度；
● DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列铟镓砷探测器配合DCS300PA数据采集系统（Page95）使用时，由于DCS300PA双通道已集成信号放大器，故可不再需要另行选配前置放大器；
● 制冷型DInGaAs-TE系列铟镓砷探测，在制冷模式时须使用温控器（型号：ZTC）进行降温控制；